STMicroelectronics STV200N55F3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.5MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STV200

引脚数量

10

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

200A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

800A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅