STMicroelectronics STW10N95K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH5™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STW10N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

950V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

DS 击穿电压-最小值

950V

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅