STW15N80K5
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STMicroelectronics STW15N80K5

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型号

STW15N80K5

utmel 编号

2381-STW15N80K5

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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STW15N80K5
STW15N80K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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STW15N80K5详情

STMicroelectronics STW15N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    190W Tc

  • Turn Off Delay Time

    44 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    SuperMESH5™

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 基本部件号

    STW15N

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    190W

  • 接通延迟时间

    19 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    375m Ω @ 7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1100pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    32nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    800V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    56A

  • DS 击穿电压-最小值

    800V

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STW15N80K5相似的参数规格。

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