STMicroelectronics STW18N65M5

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STW18N

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1240pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅