STMicroelectronics STW22NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

74 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

基本部件号

STW22N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

16A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

DS 击穿电压-最小值

600V

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅