STMicroelectronics STW30NM50N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

115 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

115mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STW30N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

115m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2740pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

13.5A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

27A

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

108A

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅