STMicroelectronics STW48NM60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

214 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330W Tc

系列

MDmesh™ II

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

70MOhm

基本部件号

STW48N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

255W

接通延迟时间

99 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4285pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

25.5 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

3.2V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

457 mJ

宽度

5.15mm

高度

20.15mm

长度

15.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅