STMicroelectronics STW6N95K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH5™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.25Ohm

端子位置

SINGLE

基本部件号

STW6N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

950V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅