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技术文档
型号
THD200FI
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-THD200FI
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
10A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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THD200FI详情
技术参数
PDF文档
STMicroelectronics THD200FI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
3310 ns
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
57 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
6.5
集电极-发射器电压-最大值
700 V
VCEsat-最大值
1.5 V
环境耗散-最大值
技术文档: STMicroelectronics THD200FI.
THD200FI拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BD139
封装:TO-225AA, TO-126-3
品牌:STMicroelectronics
库存:204000
型号:TIP127
封装:TO-220-3
库存:1912750
型号:TIP122
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