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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.560667
10
¥1.472324
100
¥1.388986
500
¥1.310369
1000
¥1.236198
STMicroelectronics TIP115
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- 对比
TIP115
2381-TIP115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TIP115 Series PNP 60 V 2 A Complementary Power Darlington Transistor - TO-220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TIP115详情
STMicroelectronics TIP115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
hFEMin
1000
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
2W
额定电流
-2A
基本部件号
TIP115
引脚数量
3
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
2W
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 1A 4V
最大集极截止电流
2mA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 8mA, 2A
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TIP115拓展信息













哦! 它是空的。