TIP35C
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STMicroelectronics TIP35C

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型号

TIP35C

utmel 编号

2381-TIP35C

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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TIP35C STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 100V 25A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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TIP35C详情

STMicroelectronics TIP35C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    9.071847g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    100V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.8V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    10

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 最大功率耗散

    125W

  • 额定电流

    25A

  • 频率

    3MHz

  • 基本部件号

    TIP35

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    125W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    3MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    100V

  • 最大集电极电流

    25A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    10 @ 15A 4V

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    4V @ 5A, 25A

  • 转换频率

    3MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • VCEsat-最大值

    4 V

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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