Texas Instruments CSD13383F4T

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

96 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.25V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD13383

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

39 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

44m Ω @ 500mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

291pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.6nC @ 4.5V

上升时间

123ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

315 ns

连续放电电流(ID)

2.9A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

12V

长度

1.035mm

宽度

635μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅