Texas Instruments CSD16323Q3T
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CSD16323Q3T
2502-CSD16323Q3T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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PROTOTYPE
1最小包装量--
CSD16323Q3T详情
Texas Instruments CSD16323Q3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package
Bulk
Base Product Number
CSD16323
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A (Ta), 105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
厂商
德州仪器
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
NexFET™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 12.5 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
25 V
Vgs(最大值)
+10V, -8V
场效应管特性
-
CSD16323Q3T拓展信息
Texas Instruments
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