CSD16323Q3T
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Texas Instruments CSD16323Q3T

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型号

CSD16323Q3T

utmel 编号

2502-CSD16323Q3T

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PROTOTYPE

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CSD16323Q3T
CSD16323Q3T Texas Instruments PROTOTYPE

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CSD16323Q3T详情

Texas Instruments CSD16323Q3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件包装

    8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CSD16323

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A (Ta), 105A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    3V, 8V

  • 厂商

    德州仪器

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    NexFET™

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.5mOhm @ 24A, 8V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1300 pF @ 12.5 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.4 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    25 V

  • Vgs(最大值)

    +10V, -8V

  • 场效应管特性

    -

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技术文档: Texas Instruments CSD16323Q3T.

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