Texas Instruments CSD16327Q3T

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 8V

Power Dissipation (Max)

74W Tc

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

CSD16327

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 24A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+10V, -8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

65 pF

宽度

3.3mm

长度

3.3mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅