Texas Instruments CSD16340Q3T

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

13.8 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

基本部件号

CSD16340

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 20A, 8V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.2nC @ 4.5V

上升时间

16.1ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+10V, -8V

下降时间（典型值）

5.2 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

115A

DS 击穿电压-最小值

25V

反馈上限-最大值 (Crss)

69 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅