Texas Instruments CSD17322Q5A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

87A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Turn Off Delay Time

10.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD17322

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8m Ω @ 14A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

695pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 4.5V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

87A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.0124Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

104A

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

44 pF

长度

4.9mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅