Texas Instruments CSD18511KTTT

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

188W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Ta 194A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

系列

NexFET™

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD18511

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5940pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

漏极-源极导通最大电阻

0.0042Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

156 mJ

宽度

8.41mm

高度

4.83mm

长度

10.18mm

器件厚度

4.44mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant