Texas Instruments CSD18541F5
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CSD18541F5
2502-CSD18541F5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, No Lead
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MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
--最小包装量--
CSD18541F5详情
Texas Instruments CSD18541F5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
基本部件号
CSD18541
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
65m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
777pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
10.5 pF
长度
1.49mm
宽度
730μm
器件厚度
338μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD18541F5拓展信息
Texas Instruments
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