Texas Instruments CSD18541F5T

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

基本部件号

CSD18541

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

777pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

2.2A

阈值电压

1.75V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

10.5 pF

宽度

730μm

长度

1.49mm

器件厚度

338μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅