CSD18543Q3A
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Texas Instruments CSD18543Q3A

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型号

CSD18543Q3A

utmel 编号

2502-CSD18543Q3A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

60V N CH MOSFET

起订量

--最小包装量--

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CSD18543Q3A
CSD18543Q3A Texas Instruments 60V N CH MOSFET

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CSD18543Q3A详情

Texas Instruments CSD18543Q3A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    8 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    CSD18543

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    66W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    35A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    55 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 漏源电阻

    8.1mOhm

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    6.2 pF

  • 高度

    900μm

  • 长度

    3.3mm

  • 宽度

    3.3mm

  • 器件厚度

    800μm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Texas Instruments CSD18543Q3A.

CSD18543Q3A拓展信息

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