Texas Instruments CSD19531KCS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

214W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19531

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

179W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.7m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3870pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

7.2ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

105A

阈值电压

2.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0088Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

285A

高度

4.7mm

长度

10.16mm

宽度

8.7mm

器件厚度

4.58mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅