Texas Instruments CSD19532KTT

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19532

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 90A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5060pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

200A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0066Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

259 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

18 pF

高度

4.83mm

长度

10.18mm

宽度

8.41mm

器件厚度

4.44mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅