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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.224412
10
¥5.872087
100
¥5.539705
500
¥5.226137
1000
¥4.93032
Texas Instruments CSD25211W1015
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- 对比
CSD25211W1015
2502-CSD25211W1015
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UFBGA, DSBGA
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MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
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¥
总价: ¥
CSD25211W1015详情
Texas Instruments CSD25211W1015重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UFBGA, DSBGA
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
36.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
基本部件号
CSD25211
元素配置
Single
操作模式
-0.8
功率耗散
1W
接通延迟时间
13.6 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
33m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
570pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.1nC @ 4.5V
上升时间
8.8ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
14.2 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
-6V
漏源击穿电压
-20V
高度
1mm
长度
1.5mm
宽度
1.8mm
器件厚度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD25211W1015拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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