Texas Instruments CSD25485F5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25485

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 900mA, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

533pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

-12V

连续放电电流(ID)

3.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

长度

1.49mm

宽度

730μm

器件厚度

338μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅