Texas Instruments CSD85302LT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-XFLGA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

173 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

最大功率耗散

1.7W

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

基本部件号

CSD85302

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

37 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.8nC @ 4.5V

上升时间

54ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

99 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

900mV

栅极至源极电压(Vgs)

10V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

漏源电阻

24mOhm

反馈上限-最大值 (Crss)

79 pF

长度

1.35mm

宽度

1.35mm

器件厚度

200μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅