Texas Instruments CSD86336Q3D
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CSD86336Q3D
2502-CSD86336Q3D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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25V POWERBLOCK N CH MOSFET
--最小包装量--
CSD86336Q3D详情
Texas Instruments CSD86336Q3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta
操作温度
-55°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD86336
JESD-30代码
S-PDSO-N8
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
功率 - 最大
6W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
输入电压(最大)
22V
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.1m Ω @ 20A, 5V, 3.4m Ω @ 20A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA, 1.6V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
494pF @ 12.5V 970pF @ 12.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
漏源电压 (Vdss)
25V
切换器配置
BUCK
开关频率-最大值
1500kHz
场效应管特性
Logic Level Gate, 5V Drive
长度
3.3mm
座位高度(最大)
1.05mm
宽度
3.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD86336Q3D拓展信息
Texas Instruments
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