CSD86336Q3D
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Texas Instruments CSD86336Q3D

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型号

CSD86336Q3D

utmel 编号

2502-CSD86336Q3D

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

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CSD86336Q3D
CSD86336Q3D Texas Instruments 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

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CSD86336Q3D详情

Texas Instruments CSD86336Q3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 表面安装

    YES

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Ta

  • 操作温度

    -55°C~125°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    CSD86336

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N8

  • 输入电压-Nom

    12V

  • 模拟 IC - 其他类型

    开关稳压器

  • 功率 - 最大

    6W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • 输入电压(最大)

    22V

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.1m Ω @ 20A, 5V, 3.4m Ω @ 20A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.9V @ 250μA, 1.6V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    494pF @ 12.5V 970pF @ 12.5V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 切换器配置

    BUCK

  • 开关频率-最大值

    1500kHz

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 5V Drive

  • 长度

    3.3mm

  • 座位高度(最大)

    1.05mm

  • 宽度

    3.3mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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