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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.57624
10
¥14.694566
100
¥13.862797
500
¥13.07811
1000
¥12.337839
Texas Instruments CSD86356Q5D
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- 对比
CSD86356Q5D
2502-CSD86356Q5D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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25V POWERBLOCK N CH MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD86356Q5D详情
Texas Instruments CSD86356Q5D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD86356
JESD-30代码
R-PDSO-N8
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
功率 - 最大
12W Ta
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
输入电压(最大)
22V
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 20A, 5V, 0.8m Ω @ 20A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.85V @ 250μA, 1.5V @ 250μA
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.04nF @ 12.5V 2.51nF @ 12.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
切换器配置
BUCK
开关频率-最大值
1500kHz
场效应管特性
Logic Level Gate, 5V Drive
长度
6mm
座位高度(最大)
1.05mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD86356Q5D拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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