Texas Instruments CSD87330Q3DT
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CSD87330Q3DT
2502-CSD87330Q3DT
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerLDFN
大陆
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PROTOTYPE
1最小包装量--
CSD87330Q3DT详情
Texas Instruments CSD87330Q3DT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件包装
8-LSON (3.3x3.3)
Package
Bulk
Base Product Number
CSD87330
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A (Ta)
厂商
德州仪器
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
NexFET™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
Standard
CSD87330Q3DT拓展信息
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