Texas Instruments CSD87384MT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

5-LGA

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

8W

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD87384

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

8W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.7m Ω @ 25A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1150pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.0089Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

231 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

114 pF

长度

5mm

宽度

3.5mm

器件厚度

400μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅