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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥72.286326
10
¥68.194647
100
¥64.334572
500
¥60.692992
1000
¥57.25754
Texas Instruments CSD88599Q5DC
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- 对比
CSD88599Q5DC
2502-CSD88599Q5DC
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
22-PowerTFDFN
大陆
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MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD88599Q5DC详情
Texas Instruments CSD88599Q5DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
22-PowerTFDFN
表面安装
YES
引脚数
22
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
22
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD88599
电源电压-最大值(Vsup)
54V
功率 - 最大
12W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4840pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
接口IC类型
基于半桥的外设驱动器
场效应管特性
Standard
输出电流流向
水槽
电源电压1-最小值
4.5V
电源电压1-最大值
16V
长度
6mm
宽度
5mm
器件厚度
850μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD88599Q5DC拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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