EFC4C002NLTDG
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Texas Instruments EFC4C002NLTDG

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型号

EFC4C002NLTDG

utmel 编号

2502-EFC4C002NLTDG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-XFBGA, WLCSP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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EFC4C002NLTDG
EFC4C002NLTDG Texas Instruments POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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EFC4C002NLTDG详情

Texas Instruments EFC4C002NLTDG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-XFBGA, WLCSP

  • 供应商器件包装

    8-WLCSP (6x2.5)

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    EFC4C002

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    -

  • 厂商

    德州仪器

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 功率 - 最大

    2.6W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    -

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6200pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    45nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    -

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

0个相似型号

技术文档: Texas Instruments EFC4C002NLTDG.

EFC4C002NLTDG拓展信息

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