Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220SIS

质量

6.000006g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

140 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

π-MOSVIII

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

80 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3Ohm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 900μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

2nF

漏源电阻

1Ohm

最大rds

1.3 Ω

RoHS状态

符合RoHS标准