类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

底架

表面安装

引脚数

终端数量

Maximum Read Speed (MBps)

Maximum Write Speed (MBps)

包装

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

待机电流-最大值

记忆密度

锁相环

I/O类型

内存IC类型

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

长度

宽度

RoHS状态

KVR1333D3S9/8G
KVR1333D3S9/8G
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4G

64

1333

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIMM

SODIMM

Socket

30

67.6

204

No Lead

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

16

LTB

204

1Gx64

204SODIMM

是,有豁免

MT4LSDT864AG-10EG2
MT4LSDT864AG-10EG2
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6

100

8Mx16

3

3.3

3.6

560

0

65

Commercial

Single

2

DIM

DIMM

Socket

25.53(Max)

133.5(Max)

3.18(Max)

168

No Lead

EAR99

DRAM模块

64Mbyte

4

128M

64

Tray

Obsolete

168

8Mx64

168UDIMM

RoHS non-compliant

96SD-256M333NN-TR1
96SD-256M333NN-TR1
Advantech 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIM

SODIMM

Socket

31.75

200

No Lead

EAR99

DRAM模块

256Mbyte

8

256M

333

32Mx8

1.5

Obsolete

200

200SODIMM

供应商未确认

MT18JDF51272PDZ-1G6D1
MT18JDF51272PDZ-1G6D1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1600

256Mx8

1.425

1.5

1.575

1773

0

70

Commercial

Double

Dual

8

11

PC3-12800

DIM

VLP RDIMM

Socket

18.9(Max)

133.5(Max)

4(Max)

240

No Lead

Obsolete

240

512Mx72

8K

240RDIMM

是,有豁免

M471A5143EB1-CRC
M471A5143EB1-CRC
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

260

M471A5143EB1-CRC

536870912 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.83

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2400

512Mx8

1.14

1.2

1.26

720

Double

Single

17

DIM

SODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

No Lead

DIMM,

微电子组件

512000000

UNSPECIFIED

Obsolete

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

0.5 mm

compliant

260

R-XDMA-N260

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

512Mx64

30.15 mm

64

34359738368 bit

DDR内存模块

单库页面突发

260SOUDIMM

69.6 mm

3.7 mm

符合RoHS标准

M386A4G40DM1-CRC50
M386A4G40DM1-CRC50
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

288

Ball

4A994.a

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

2400

2Gx4

FBGA

1.2

0

95

Commercial

Quad

16

15

LRDIMM

Obsolete

288

4Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

SDSDJ-2048-814
SDSDJ-2048-814
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2G

SD/SPI

2.7

3.3

3.6

-25

85

SD

SD

Socket

2.1

32

24

9

EAR99

SD卡

Obsolete

9

符合RoHS标准

KSM26RD4/32MEI
KSM26RD4/32MEI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19

RDIMM

Socket

31.25

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

2666

2Gx4

FBGA

1.2

2808

0

85

Dual

Obsolete

288

4Gx72

288DIMM

符合RoHS标准

M393B1K70DH0-CK0
M393B1K70DH0-CK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

240

11

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

DIMM, DIMM240,40

微电子组件

2

1000000000

UNSPECIFIED

DIMM240,40

40

85 °C

M393B1K70DH0-CK0

800 MHz

1073741824 words

1.5 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.63

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

36

2G

72

0.225

1600

512Mx4

FBGA

1.425

1.5

1.575

2620

0

95

Double

Dual

8

Obsolete

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

260

1

1 mm

compliant

240

R-XDMA-N240

不合格

1.575 V

1.5 V

OTHER

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

3.42 mA

1Gx72

3-STATE

30.15 mm

72

1.062 A

77309411328 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

双库页面突发

240DIMM

133.35 mm

4 mm

符合RoHS标准

M393AAK40B41-CTC
M393AAK40B41-CTC
Samsung Electronics 数据表

2266 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

1.14

1.2

1.26

Double

Octal

16

DIMM,

微电子组件

16000000000

UNSPECIFIED

M393AAK40B41-CTC

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.72

8473.30.11.40

DRAM模块

128Gbyte

36

8G

72

8Gx4

78FBGA

活跃

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

compliant

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

16Gx72

31.4 mm

72

DDR DRAM

多库页面突发

288RDIMM

133.35 mm

4.1 mm

M393A8K40B21-CRB
M393A8K40B21-CRB
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

133.35

4.1(Max)

288

8473.30.11.40

DRAM模块

64Gbyte

36

8G

72

2133

78FBGA

1.14

1.2

1.26

3582

Quad

15

RDIMM

Socket

31.25

活跃

288

8Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

MT18KSF51272HZ-1G4K1
MT18KSF51272HZ-1G4K1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

204

SODIMM

Socket

30.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

204

No Lead

HALOGEN FREE, SODIMM-204

微电子组件

512000000

UNSPECIFIED

70 °C

MT18KSF51272HZ-1G4K1

536870912 words

1.35 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

活跃

MICRON TECHNOLOGY INC

5.71

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1333

256Mx8

1.283

1.35

1.45

873

0

70

Commercial

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

Obsolete

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY; WD-MAX

8542.32.00.36

CMOS

DUAL

无铅

1

compliant

204

R-XDMA-N204

1.45 V

COMMERCIAL

1.283 V

1

SYNCHRONOUS

512Mx72

30.15 mm

72

4

DDR内存模块

8K

双库页面突发

204SODIMM

67.6 mm

3.8 mm

是,有豁免

5962R0622906VYC
5962R0622906VYC
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面贴装

68

3.6

170

-55

125

Military

MQFP-T

表面贴装

4.7(Max)

64.14(Max)

64.14(Max)

68

4

Non-Compliant

ITAR (XV.e)

8542.32.00.41

SRAM模块

16Mbit

4

4M

4

18

512Kx8

68-MQFPT

3

3.3

活跃

125 °C

-55 °C

68

3.3 V

3.6 V

3 V

18 ns

4Mx4

RoHS non-compliant

M378A5143DB0-CPB000
M378A5143DB0-CPB000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15

FBGA

表面贴装

11

7.5

78

4A994.a

8542.32.00.71

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2133

512Mx8

78FBGA

1.2

0

85

Commercial

Single

Obsolete

78

512Mx64

288UDIMM

符合RoHS标准

M393A1K43BB1-CTD
M393A1K43BB1-CTD
Samsung Electronics 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1Gx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Double

Single

19

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

9

8G

72

2666

Obsolete

288

1Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M386A8K40CM2-CRC4Q
M386A8K40CM2-CRC4Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Extended

Double

Quad

16

DRAM模块

64Gbyte

36

16G

72

活跃

8Gx72

288LRDIMM

TS2GKR72W6Z
TS2GKR72W6Z
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

72

1600

1Gx4

Dual

11

DIM

RDIMM

Socket

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

16Gbyte

36

4G

Obsolete

240

2Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

SEN02G64C4BH2MT-25R
SEN02G64C4BH2MT-25R
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

2Gbyte

16

1G

64

0.4

800

128Mx8

FBGA

1.7

1.8

1.9

1336

0

70

Double

Dual

8

6

PC2-6400

DIM

SODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

200

No Lead

Obsolete

200

256Mx64

8K

200SODIMM

符合RoHS标准

KSM26RD8/16MEI
KSM26RD8/16MEI
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

0

85

Double

Dual

19

RDIMM

Socket

31.25

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2666

1Gx8

FBGA

1.2

1629

Obsolete

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M378A5143EB2-CRC00
M378A5143EB2-CRC00
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Single

17

UDIMM

Socket

31.25

133.35

2.7(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2400

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

720

Obsolete

288

512Mx64

288UDIMM

W3E32M72S-266BM
W3E32M72S-266BM
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

PBGA

2.3

2.5

2.7

2000

-55

125

Military

4

2.5

BGA

表面贴装

2.03(Max)

32.1(Max)

25.1(Max)

219

4A994.a

DRAM模块

256Mbyte

5

460.8M

72

0.75

266

219

32Mx72

供应商未确认

TS8D42AR00SNS
TS8D42AR00SNS
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2(V)

1.14(V)

0C

DRAM模块

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

8G

64

2400

1Gx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1064

0

85

Single

SODIMM

Socket

30

69.6

260

2400(MHz)

85C

8GByte(b)

Commercial

SODIMM

0C to 85C

64(b)

1.26(V)

Bulk

活跃

260

1Gx64

260SODIMM

符合RoHS标准

M393A4K40CB1-CRC0Q
M393A4K40CB1-CRC0Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

2049

Double

Dual

16

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

1.4 + 2.8(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

1200

活跃

288

4Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

WF512K32N-70H1I5A
WF512K32N-70H1I5A
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

85

Industrial

HIP

通孔

3.71(Max)

27.3

27.3

66

4A994.a

闪存模块

16Mbit

4

4M

32

70

512Kx8

HIP

4.5

5

5.5

190

-40

Obsolete

66

512Kx32

供应商未确认

SDSDQAB-016G-BQ
SDSDQAB-016G-BQ
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20

5

85

Class 4

Socket

1

15

11

8

EAR99

MicroSDHC 卡

16G

SD

2.7

3.3

3.6

-25

活跃

8

符合RoHS标准