W3E32M72S-266BM
W3E32M72S-266BM

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Microsemi W3E32M72S-266BM

  • 收藏
  • 对比

型号

W3E32M72S-266BM

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-W3E32M72S-266BM

商品类别

存储卡

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
W3E32M72S-266BM
W3E32M72S-266BM Microsemi DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

W3E32M72S-266BM详情

Microsemi W3E32M72S-266BM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • ECCN (US)

    4A994.a

  • Module

    DRAM模块

  • Module Density

    256Mbyte

  • Number of Chip per Module

    5

  • Chip Density (bit)

    460.8M

  • Data Bus Width (bit)

    72

  • Max. Access Time (ns)

    0.75

  • Maximum Clock Rate (MHz)

    266

  • Chip Package Type

    PBGA

  • Minimum Operating Supply Voltage (V)

    2.3

  • Typical Operating Supply Voltage (V)

    2.5

  • Maximum Operating Supply Voltage (V)

    2.7

  • Operating Current (mA)

    2000

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -55

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    125

  • Supplier Temperature Grade

    Military

  • ECC Support

  • Number of Chip Banks

    4

  • CAS Latency

    2.5

  • SPD EEPROM Support

  • Supplier Package

    BGA

  • Mounting

    表面贴装

  • Package Height

    2.03(Max)

  • Package Length

    32.1(Max)

  • Package Width

    25.1(Max)

  • PCB changed

    219

  • 引脚数量

    219

  • 组织结构

    32Mx72

  • 锁相环

  • 自我刷新

  • RoHS状态

    供应商未确认

0个相似型号

技术文档: Microsemi W3E32M72S-266BM.

W3E32M72S-266BM拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z