类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

表面安装

引脚数

终端数量

包装

零件状态

ECCN 代码

类型

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

频率

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

配置

电压

最大电源电压

最小电源电压

端口的数量

速度

操作模式

电源电流-最大值

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

锁相环

I/O类型

内存IC类型

电容量

刷新周期

访问模式

特征

自我刷新

模块类型

长度

宽度

RoHS状态

无铅

KVR800D2S6/1G
KVR800D2S6/1G
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

200

6

DIM

SODIMM

Socket

30

67.6

200

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

1Gbyte

8

Compliant

DDR2

8

1G

64

800

128Mx8

1.7

1.8

1.9

Double

Single

Obsolete

800 MHz

200

1.8 V

1.8 V

1.9 V

1.7 V

128Mx64

800 MHz

200SODIMM

是,有豁免

无铅

M474B1G73QH0-YK000
M474B1G73QH0-YK000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1600

512Mx8

78FBGA

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

1125

0

95

Dual

11

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

204

No Lead

EAR99

8473.30.51.00

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

Obsolete

204

1Gx72

204USODIMM

EVS32M16T-5 BITR
EVS32M16T-5 BITR
Teledyne e2v 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4

3

TSOP-II

表面贴装

1.8(Min)

22.62(Max)

66

DRAM模块

1Gbit

2

512M

16

167

32Mx16

66TSOP-II

2.3

2.5

2.7

-40

85

Industrial

66

64Mx16

供应商未确认

5962-0622901VXC
5962-0622901VXC
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

-55

125

Military

QFP

MQFP-T

表面贴装

4.7(Max)

64.14(Max)

64.14(Max)

68

4A994.a

SRAM模块

16Mbit

4

4M

32

25

512Kx8

68-MQFPT

3

3.3

3.6

150

活跃

68

512Kx32

供应商未确认

KVR16N11/8
KVR16N11/8
Kingston Technology 数据表

16 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks, 2 Days

No Lead

8GB

ValueRAM

240

DIMM-240

KVR16N11/8

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.63

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

1600

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

11

PC3-12800

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

活跃

EAR99

ValueRAM

8473.30.11.40

unknown

240

240-pin DIMM

1.5V

1600MHz

1Gx64

8 GB

Unbuffered

240DIMM

是,有豁免

M393A1K43BB1-CTD6Q
M393A1K43BB1-CTD6Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Double

Single

19

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

No Lead

EAR99

8542.32.00.71

DRAM模块

8Gbyte

9

8G

72

2666

1Gx8

Obsolete

288

1Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

TS8D30AR00LNS
TS8D30AR00LNS
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.425(V)

0C

DRAM模块

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

4G

64

1600

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1320

0

85

Dual

UDIMM

Socket

30

133.35

240

1600(MHz)

85C

8GByte(b)

Commercial

UDIMM

0C to 85C

64(b)

1.575(V)

1.5(V)

Bulk

活跃

240

1Gx64

240UDIMM

符合RoHS标准

KVR1333D3N9/8G
KVR1333D3N9/8G
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks, 2 Days

YES

240

DIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

DIMM, DIMM240,40

微电子组件

1000000000

UNSPECIFIED

DIMM240,40

0.255 ns

85 °C

KVR1333D3N9/8G

667 MHz

1073741824 words

1.5 V

DIMM

RECTANGULAR

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.69

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

1333

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

活跃

EAR99

PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SEATED HGT-NOM

8473.30.11.40

CMOS

UNSPECIFIED

无铅

1

1 mm

unknown

240

R-XXMA-N240

不合格

1.575 V

1.5 V

OTHER

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

1Gx64

3-STATE

30 mm

64

68719476736 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

多库页面突发

240DIMM

133.35 mm

是,有豁免

M471B1G73DB0-YK0
M471B1G73DB0-YK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.35

Dual

11

USODIMM

Socket

204

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

1600

512Mx8

Obsolete

204

1Gx64

204USODIMM

符合RoHS标准

M393A1G43DB0-CPB
M393A1G43DB0-CPB
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

UNSPECIFIED

未说明

M393A1G43DB0-CPB

1073741824 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.71

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

2133

512Mx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1750

Double

Dual

15

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

DIMM,

微电子组件

1000000000

Obsolete

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

未说明

1

0.85 mm

compliant

288

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

1Gx72

31.4 mm

72

77309411328 bit

DDR内存模块

双库页面突发

288RDIMM

133.35 mm

3.9 mm

符合RoHS标准

M393B1G73EB0-CMA
M393B1G73EB0-CMA
Samsung Electronics 数据表

30 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

20

670

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1390

0

95

Double

Dual

13

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

4A994.a

活跃

240

1Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

MTA18ADF4G72PZ-3G2B1.001
MTA18ADF4G72PZ-3G2B1.001
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

32Gbyte

16G

72

3200

4Gx4

1.14

1.2

1.26

3096

0

95

Commercial

Double

Single

16

22

PC4-3200

VLP RDIMM

Socket

18.9(Max)

133.48(Max)

3.9(Max)

288

NRND

288

4Gx72

288VLP RDIMM

KVR13LE9/4
KVR13LE9/4
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

72

1333

256Mx8

FBGA

1.28/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

0

85

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

DIMM

Socket

30

133.35

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

Obsolete

240

512Mx72

240DIMM

供应商未确认

KVR24S17S8/8BK
KVR24S17S8/8BK
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Single

17

PC4-2400

SODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

8

8G

64

2400

1Gx8

FBGA

1.2

0

85

Double

260

1Gx64

260SODIMM

符合RoHS标准

TS512MLK72W6H
TS512MLK72W6H
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

512Mx8

11

DIM

DIMM

Socket

240

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

9

4G

72

1600

活跃

240

512Mx72

240DIMM

符合RoHS标准

MT4LSDT1664AG-133G1
MT4LSDT1664AG-133G1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

168

4

3

PC-133

DIM

DIMM

Socket

25.53(Max)

133.5(Max)

3.18(Max)

168

No Lead

DIMM, DIMM168

微电子组件

16000000

PLASTIC/EPOXY

DIMM168

5.4 ns

65 °C

MT4LSDT1664AG-133G1

133 MHz

16777216 words

3.3 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

活跃

MICRON TECHNOLOGY INC

5.68

EAR99

DRAM模块

128Mbyte

4

256M

64

5.4

133

16Mx16

3

3.3

3.6

540

0

65

Commercial

Single

Single

Tray

Unconfirmed

CMOS

DUAL

无铅

1.27 mm

compliant

168

R-PDMA-N168

不合格

3.3 V

COMMERCIAL

1.08 mA

16Mx64

3-STATE

64

0.008 A

1073741824 bit

COMMON

同步电机模块

8K

168UDIMM

RoHS non-compliant

M393A1G43DB1-CRC
M393A1G43DB1-CRC
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Double

Dual

17

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

2400

512Mx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1860

Obsolete

288

1Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M471B5674QH0-YK
M471B5674QH0-YK
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

535

0

95

Single

11

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

2.2(Max)

204

No Lead

4A994.a

DRAM模块

2Gbyte

4

4G

64

1600

256Mx16

78FBGA

Obsolete

204

256Mx64

204USODIMM

符合RoHS标准

WF1M32B-100G2UI3A
WF1M32B-100G2UI3A
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

2.8(Max)

22.36

22.36

68

4A994.a

闪存模块

32Mbit

4

8M

32

100

1Mx8

3

3.3

3.6

120

-40

85

Industrial

CQFP

Obsolete

68

1Mx32

RoHS non-compliant

TS8D42AR00SNSI
TS8D42AR00SNSI
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SODIMM

Socket

30

69.6

260

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

8G

72

2400

1Gx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1224

-40

85

Industrial

Single

Bulk

Obsolete

260

1Gx72

260SODIMM

符合RoHS标准

MT8HTF12864HZ-800G1
MT8HTF12864HZ-800G1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

800

128Mx8

1.7

1.8

1.9

1280

0

70

Commercial

Double

Single

8

6

PC2-6400

DIM

SODIMM

Socket

30.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

200

No Lead

EAR99

Tray

Obsolete

200

128Mx64

8K

200SODIMM

是,有豁免

M471A5143EB1-CRC00
M471A5143EB1-CRC00
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Single

17

USODIMM

Socket

30

69.6

1.2(Max)

260

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2400

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

720

Obsolete

260

512Mx64

260USODIMM

TS16D42AR00LNS
TS16D42AR00LNS
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

0

85

Dual

UDIMM

Socket

31.25

133.35

3.9(Max)

288

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

8G

64

2400

1Gx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1088

Bulk

活跃

288

2Gx64

288UDIMM

符合RoHS标准

M391B1G73QH0-CK0
M391B1G73QH0-CK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

72

0.225

1600

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1170

0

95

Double

Dual

8

11

DIM

UDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

4A994.a

Obsolete

240

1Gx72

240UDIMM

符合RoHS标准

M391B1G73EB0-CMA00
M391B1G73EB0-CMA00
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

13

UDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

4A994.a

8473.30.51.00

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

64

1866

512Mx8

78FBGA

1.5

0

85

Commercial

240

1Gx64

240UDIMM