类别是'category.存储卡' (4503)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

表面安装

引脚数

终端数量

Maximum Read Speed (MBps)

Maximum Write Speed (MBps)

包装

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

端口的数量

操作模式

电源电流-最大值

数据总线宽度

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

锁相环

I/O类型

内存IC类型

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

M471B1G73DB0-YK000
M471B1G73DB0-YK000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

11

USODIMM

Socket

204

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

1600

512Mx8

1.35

Obsolete

204

1Gx64

204USODIMM

符合RoHS标准

MT4HTF6464HY-667G1
MT4HTF6464HY-667G1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

512Mbyte

4

1G

64

667

64Mx16

1.7

1.8

1.9

0

70

Commercial

Single

Single

8

5

PC2-5300

DIM

SODIMM

Socket

30(Max)

67.75(Max)

2.45(Max)

200

No Lead

EAR99

8542.32.00.02

DRAM模块

Tray

Obsolete

200

64Mx64

8K

200SODIMM

是,有豁免

TS4FCFSAR00ISI
TS4FCFSAR00ISI
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4.5|2.97

5|3.3

3.63|5.5

-40

85

Industrial

Socket

3.93

42.8

36.4

50

EAR99

8523.80.20.00

CompactFlash

4G

IDE/PCMCIA

活跃

50

符合RoHS标准

M470T5267AZ3-CF7DE
M470T5267AZ3-CF7DE
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DRAM模块

4Gbyte

16

4G(Stacked)

64

0.4

800

512Mx8

FBGA

1.7

1.8

1.9

2080

0

95

Commercial

Double

Dual

8

6

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

200

No Lead

4A994.a

Obsolete

200

512Mx64

200SODIMM

符合RoHS标准

M386A8K40CM2-CRC4Q
M386A8K40CM2-CRC4Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.26

Extended

Double

Quad

16

DRAM模块

64Gbyte

36

16G

72

4Gx4

78FBGA

1.14

1.2

活跃

8Gx72

288LRDIMM

TS8D42AR00SNS
TS8D42AR00SNS
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.14(V)

0C

DRAM模块

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

8G

64

2400

1Gx8

FBGA

1.14

1.2

1.26

1064

0

85

Single

SODIMM

Socket

30

69.6

260

2400(MHz)

85C

8GByte(b)

Commercial

SODIMM

0C to 85C

64(b)

1.26(V)

1.2(V)

Bulk

活跃

260

1Gx64

260SODIMM

符合RoHS标准

M393B1K70DH0-CK0
M393B1K70DH0-CK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

240

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

DIMM, DIMM240,40

微电子组件

2

1000000000

UNSPECIFIED

DIMM240,40

40

85 °C

M393B1K70DH0-CK0

800 MHz

1073741824 words

1.5 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.63

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

36

2G

72

0.225

1600

512Mx4

FBGA

1.425

1.5

1.575

2620

0

95

Double

Dual

8

11

Obsolete

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

260

1

1 mm

compliant

240

R-XDMA-N240

不合格

1.575 V

1.5 V

OTHER

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

3.42 mA

1Gx72

3-STATE

30.15 mm

72

1.062 A

77309411328 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

双库页面突发

240DIMM

133.35 mm

4 mm

符合RoHS标准

M393B1G73EB0-YK0
M393B1G73EB0-YK0
Samsung Electronics 数据表

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

Double

95

0

1160

1.45/1.575

1.35/1.5

1.283/1.425

512Mx8

1600

72

4G

18

8Gbyte

DRAM模块

8473.30.11.40

4A994.a

30

133.35

4(Max)

240

Socket

RDIMM

11

8

活跃

240

1Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

M393AAK40B41-CTC
M393AAK40B41-CTC
Samsung Electronics 数据表

2266 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

288

Double

Octal

16

DIMM,

微电子组件

16000000000

UNSPECIFIED

M393AAK40B41-CTC

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.72

8473.30.11.40

DRAM模块

128Gbyte

36

8G

72

8Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

活跃

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

compliant

R-XDMA-N288

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

16Gx72

31.4 mm

72

DDR DRAM

多库页面突发

288RDIMM

133.35 mm

4.1 mm

MT18KSF51272HZ-1G4K1
MT18KSF51272HZ-1G4K1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

204

30.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

204

No Lead

HALOGEN FREE, SODIMM-204

微电子组件

512000000

UNSPECIFIED

70 °C

MT18KSF51272HZ-1G4K1

536870912 words

1.35 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

活跃

MICRON TECHNOLOGY INC

5.71

EAR99

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1333

256Mx8

1.283

1.35

1.45

873

0

70

Commercial

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

SODIMM

Socket

Obsolete

EAR99

AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY; WD-MAX

8542.32.00.36

CMOS

DUAL

无铅

1

compliant

204

R-XDMA-N204

1.45 V

COMMERCIAL

1.283 V

1

SYNCHRONOUS

512Mx72

30.15 mm

72

4

DDR内存模块

8K

双库页面突发

204SODIMM

67.6 mm

3.8 mm

是,有豁免

M393A2K40BB1-CTD7Q
M393A2K40BB1-CTD7Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

19

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

Ball

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2666

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

1.26

Single

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M393A1K43BB1-CTD
M393A1K43BB1-CTD
Samsung Electronics 数据表

500 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2

1.26

Double

Single

19

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

9

8G

72

2666

1Gx8

78FBGA

1.14

Obsolete

288

1Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

SDSDQAB-016G-BQ
SDSDQAB-016G-BQ
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20

5

15

11

8

EAR99

MicroSDHC 卡

16G

SD

2.7

3.3

3.6

-25

85

Class 4

Socket

1

活跃

8

符合RoHS标准

AQD-SD4U4GN24-SG4G SO-DDR4-2133
AQD-SD4U4GN24-SG4G SO-DDR4-2133
Advantech 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.26

0

85

Double

Single

11|16|10|13|18|12|14|17|15

PC-19200

SODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

4A994.a

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

1200

512Mx8

FBGA

1.14

1.2

活跃

260

512Mx64

260SODIMM

是,有豁免

M393AAK40B41-CTC0Y
M393AAK40B41-CTC0Y
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.2

1.26

Double

Octal

16

8473.30.11.40

DRAM模块

128Gbyte

36

8G

72

8Gx4

78FBGA

1.14

活跃

16Gx72

288RDIMM

SDIN2B2-8G
SDIN2B2-8G
Western Digital 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SD/SPI

2.7

3.3

3.6

-25

85

BGA

TFBGA

表面贴装

0.83

18

12

169

Ball

EAR99

闪存盘

8G

Obsolete

169

符合RoHS标准

MT18JSF51272AZ-1G4M1
MT18JSF51272AZ-1G4M1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8542.32.00.71

DRAM模块

4Gbyte

18

2G

72

1333

256Mx8

1.425

1.5

1.575

2133

0

70

Commercial

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

UDIMM

Socket

30.5(Max)

133.5(Max)

4(Max)

240

No Lead

EAR99

Tray

Obsolete

240

512Mx72

8K

240UDIMM

是,有豁免

MT4HTF3264HY-667F1
MT4HTF3264HY-667F1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

NO

200

200

DIM

SODIMM

Socket

30(Max)

67.75(Max)

2.45(Max)

200

No Lead

4

Compliant

微电子组件

32000000

PLASTIC/EPOXY

DIMM200,24

0.45 ns

70 °C

MT4HTF3264HY-667F1

333 MHz

33554432 words

1.8 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

Obsolete

MICRON TECHNOLOGY INC

5.84

EAR99

8542.32.00.32

DRAM模块

256Mbyte

4

512M

64

667

32Mx16

1.7

1.8

1.9

1000

0

70

Commercial

Single

Single

4

5

PC2-5300

Tray

Obsolete

70 °C

0 °C

CMOS

DUAL

无铅

0.6 mm

unknown

200

R-PDMA-N200

不合格

1.8 V

1.8 V

COMMERCIAL

1.9 V

1.7 V

1.4 mA

64 b

32Mx64

3-STATE

64

0.028 A

2147483648 bit

667 MHz

COMMON

DDR内存模块

8K

200SODIMM

符合RoHS标准

M471A1G43DB1-CRC00
M471A1G43DB1-CRC00
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

2400

512Mx8

1.2

0

95

Commercial

Dual

17

SODIMM

Socket

260

4A994.a

260

1Gx64

204USODIMM

M393A4K40CB2-CVF
M393A4K40CB2-CVF
Samsung Electronics 数据表

750 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

RDIMM

DIM

21

16

Dual

Double

Extended

2597

1.26

1.2

1.14

78FBGA

2Gx4

2933

0.165

72

8G

36

32Gbyte

DRAM模块

8473.30.11.40

EAR99

288

4.3(Max)

133.35

31.25

Socket

活跃

288

4Gx72

288RDIMM

M386AAK40B40-CWD7Q
M386AAK40B40-CWD7Q
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

133.35

4.21(Max)

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

128Gbyte

36

8G

72

2666

78FBGA

1.14

1.2

1.26

7699

Octal

19

DIMM

Socket

31.25

活跃

288

16Gx72

288LRDIMM

KSM24ED8/16ME
KSM24ED8/16ME
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

31.25

133.35

288

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2400

1Gx8

FBGA

1.2

1530

0

85

Dual

17

DIMM

Socket

Obsolete

288

2Gx72

288DIMM

符合RoHS标准

M393A4K40CB2-CTD7Y
M393A4K40CB2-CTD7Y
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.26

2455

Double

Dual

16

19

DIM

RDIMM

Socket

31.25

133.35

4.3(Max)

288

EAR99

DRAM模块

32Gbyte

36

8G

72

1333

2Gx4

78FBGA

1.14

1.2

活跃

288

4Gx72

8

288RDIMM

符合RoHS标准

KSM29RD8/16HDR
KSM29RD8/16HDR
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

21

RDIMM

Socket

31.25

133.35

288

4A994.a

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

18

8G

72

2933

1Gx8

FBGA

1.2

1691

0

85

Double

活跃

288

2Gx72

288RDIMM

符合RoHS标准

M391B1G73QH0-CK0
M391B1G73QH0-CK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18

4G

72

0.225

1600

512Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1170

0

95

Double

Dual

8

11

DIM

UDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

No Lead

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

Obsolete

240

1Gx72

240UDIMM

符合RoHS标准