类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 反向恢复时间 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | 闸门收费 | 集极脉冲电流(Icm) | Td(开/关)@25°C | 开关能量 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | SOT-227 | 1.7 V | 55 A | 500 nA | 微芯片技术 | Details | 1200 V | 260 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | SMD/SMT | 1 | Bulk | 55 A | APT35GT120 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 260 | 260 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 35A | 55 | 沟渠现场停车 | 无 | 2.53 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GR120B2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-247-3 | TO-247 | 3.5 V | 117 A | 250 nA | 微芯片技术 | Tube | Details | 1200 V | 694 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 通孔 | 1 | 0.211644 oz | 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V | 活跃 | APT50GR120 | 117 A | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | Standard | 694 W | 1200 V | 3.2V @ 15V, 50A | NPT | 445 nC | 200 A | 28ns/237ns | 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT600U170D4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | D4-5 | D4 | 2 V | 1.1 kA | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1.7 kV | 2.9 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 12.345887 oz | Bulk | 1100 A | APTGT600 | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | Single | 2.9 | 2900 W | Standard | 1 mA | 1700 V | 2.4V @ 15V, 600A | 1.1 | 沟渠现场停车 | 无 | 51 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50TL65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 微芯片技术 | 650 V | 175 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 70 A | APTGLQ50 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Quad | 175 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ30H65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | 1.95 V | 40 A | 300 nA | 微芯片技术 | 650 V | 95 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 40 A | APTGLQ30 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Quad | 95 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 30A | 沟渠现场停车 | 有 | 1.9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50H65T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 微芯片技术 | 650 V | 175 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 70 A | APTGLQ50 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Quad | 175 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF120JRDQ3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP-4 | 4 | ISOTOP® | 2.5 V | 149 A | 100 nA | 微芯片技术 | 1 | SMD/SMT | 30 V | + 150 C | - 55 C | 625 W | 1200 V | Details | Tube | 149 A | APT60GF120 | 活跃 | 1.2 kV | 1.2 kV | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -55 °C | 625 W | 115 A | Single | Single | 625 | 625 W | Standard | 1.2 kV | 149 A | 350 µA | 1200 V | 7.08 nF | 3V @ 15V, 100A | 149 | NPT | 无 | 7.08 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DU120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 微芯片技术 | 3.880136 oz | 1 | 底座安装 | 20 V | + 100 C | - 40 C | 1.38 kW | 1.2 kV | Details | Bulk | 420 A | APTGT300 | 活跃 | 1.2 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.38 kW | Dual | Dual | 1380 W | Standard | 1.2 kV | 420 A | 500 µA | 1200 V | 21 nF | 2.1V @ 15V, 300A | 420 | 沟渠现场停车 | 无 | 21 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50TA60PG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6-P | 6 | SP6-P | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 176 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 80 A | APTGT50 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 176 W | 3-Phase | 176 W | Standard | 1.9 V | 80 A | 250 µA | 600 V | 3.15 nF | 1.9V @ 15V, 50A | 80 | 沟渠现场停车 | 无 | 3.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 43 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 6 | 140A | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 480W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 100A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 7.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ75H120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP1-32 | SP1 | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | 385 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 130 A | APTGLQ75 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | 385 | 385 W | Standard | 50 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 75A | 130 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1225R12KT4GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2449 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 38 | SILICON | 12 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 38 | EAR99 | UL 认证 | 160W | UPPER | UNSPECIFIED | 三相逆变器 | ISOLATED | 160W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 25A | 1mA | 1200V | 55 ns | 2.15V @ 15V, 25A | 470 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 1.45nF @ 25V | 17mm | 122mm | 62mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100A120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 微芯片技术 | 1200 V | 520 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 170 A | APTGLQ100 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 520 W | Standard | 50 µA | 1200 V | 2.42V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL700DA120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | D3-11 | D3 | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | 3 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 840 A | APTGL700 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Single | 3 | 3000 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.2V @ 15V, 600A | 840 | 沟渠现场停车 | 无 | 37.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400TL65G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SP6 | NO | 13 | SILICON | 1.15 kW | 1.5 V | 500 A | - 40 C | + 100 C | 1.2 uA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | APTGT400 | 活跃 | 5.71 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 4 | RECTANGULAR | APTGT400TL65G | 有 | 150 °C | 370 ns | -40 °C | 180 ns | UNSPECIFIED | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 | Details | 650 V | Tube | - | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | R-XUFM-X13 | COMPLEX | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 1150 W | 500 A | 650 V | 20 V | 1.9 V | 6.4 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXA60IF1200NA | IXYS | 数据表 | 35 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Chassis, Screw, Stud, Surface Mount | Chassis, Stud Mount | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 2.1V | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2010 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | NICKEL | UL 认证 | 290W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | 290W | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 88A | 350 ns | 100μA | 1200V | 110 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 350 ns | PT | 无 | 20V | 6.5V | 9.6mm | 38.23mm | 25.25mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200TL60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 1.5 V | 300 A | 800 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 652 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 300 A | APTGT200 | 活跃 | 600 V | 225 ns | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 652 W | 3-Phase Inverter | 115 ns | 652 W | Standard | 600 V | 300 A | 350 µA | 600 V | 12.2 nF | 1.9V @ 15V, 200A | 300 | 沟渠现场停车 | 无 | 12.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ40DDA120CT3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP3-32 | SP6 | 2.05 V | 75 A | 120 nA | 微芯片技术 | 1 | 底座安装 | 20 V | + 100 C | - 40 C | 250 W | 1.2 kV | Details | Bulk | 75 A | APTGLQ40 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 250 W | Standard | 100 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 40A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ200A65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 微芯片技术 | 650 V | 483 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 200 A | APTGTQ200 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 483 W | Standard | 200 µA | 650 V | 2.2V @ 15V, 200A | - | 有 | 12 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT225DU170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | NO | 7 | SP6 | 7 | SILICON | 2 V | 340 A | + 100 C | 600 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 340 A | APTGT225 | 活跃 | 1.7 kV | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 450 ns | 1100 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGT225DU170G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.24 | Details | 1.7 kV | 1.25 kW | - 40 C | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 150 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 1.25 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | Dual | 1.25 | ISOLATED | 1250 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7 kV | 340 A | 500 µA | 1700 V | 20 nF | 2.4V @ 15V, 225A | 340 A | 340 | 沟渠现场停车 | 1700 V | 无 | 20 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 50A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X25 | 全桥 | ISOLATED | 280W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYN100N120C3H1 | IXYS | 数据表 | 1000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | Chassis Mount, Screw, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 2.9V | 1.2kV | 1 | 123 ns | -55°C~150°C TJ | 2013 | XPT™, GenX3™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 690W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | 690W | ISOLATED | 32 ns | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 134A | 50μA | 1200V | 6nF | 122 ns | 3.5V @ 15V, 100A | 265 ns | 无 | 20V | 6nF @ 25V | 5V | 9.6mm | 38.23mm | 25.07mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200DU60TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 625 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 290 A | APTGT200 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 625 W | Dual | Dual | 625 W | Standard | 600 V | 290 A | 250 µA | 600 V | 12.3 nF | 1.9V @ 15V, 200A | 290 | 沟渠现场停车 | 有 | 12.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400DU120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 1.7 V | 560 A | 800 nA | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | + 100 C | - 40 C | 1.785 kW | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 560 A | APTGT400 | 活跃 | 8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080 | 1.2 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.785 kW | Dual | Dual | 1785 W | Standard | 1.2 kV | 560 A | 750 µA | 1200 V | 28 nF | 2.1V @ 15V, 400A | 560 | 沟渠现场停车 | 无 | 28 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL90H120T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 1 | Bulk | 微芯片技术 | 110 A | APTGL90 | 活跃 | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGL90H120T3G | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.68 | Details | 1.2 kV | 385 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | 未说明 | compliant | 全桥 | 385 | 385 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 385 W | 2.25V @ 15V, 75A | 110 A | 110 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 有 | 20 V | 4.4 nF @ 25 V | 2.25 V | IGBT硅模块 |
APT35GT120JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GR120B2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT600U170D4G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50TL65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ30H65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50H65T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT60GF120JRDQ3
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DU120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50TA60PG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
554.177124
APTGLQ75H120T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
784.153804
APTGLQ100A120TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL700DA120D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT400TL65G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IXA60IF1200NA
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
300.239684
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Microchip Technology
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Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
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Microchip Technology
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分类:Transistors - IGBTs - Modules
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分类:Transistors - IGBTs - Modules
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Microchip Technology
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