类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

输入类型

接通延迟时间

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

反向恢复时间

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

闸门收费

集极脉冲电流(Icm)

Td(开/关)@25°C

开关能量

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

APT35GT120JU2
APT35GT120JU2
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

ISOTOP-4

SOT-227

1.7 V

55 A

500 nA

微芯片技术

Details

1200 V

260 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

SMD/SMT

1

Bulk

55 A

APT35GT120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

260

260 W

Standard

5 mA

1200 V

2.1V @ 15V, 35A

55

沟渠现场停车

无

2.53 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT50GR120B2
APT50GR120B2
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-247-3

TO-247

3.5 V

117 A

250 nA

微芯片技术

Tube

Details

1200 V

694 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

通孔

1

0.211644 oz

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

活跃

APT50GR120

117 A

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

Standard

694 W

1200 V

3.2V @ 15V, 50A

NPT

445 nC

200 A

28ns/237ns

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

IGBT硅模块

APTGT600U170D4G
APTGT600U170D4G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

D4-5

D4

2 V

1.1 kA

400 nA

微芯片技术

Details

1.7 kV

2.9 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

12.345887 oz

Bulk

1100 A

APTGT600

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Bulk

-

Single

2.9

2900 W

Standard

1 mA

1700 V

2.4V @ 15V, 600A

1.1

沟渠现场停车

无

51 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ50TL65T3G
APTGLQ50TL65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

1.85 V

70 A

150 nA

微芯片技术

650 V

175 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

70 A

APTGLQ50

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Quad

175 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

有

3.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ30H65T3G
APTGLQ30H65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

1.95 V

40 A

300 nA

微芯片技术

650 V

95 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

40 A

APTGLQ30

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Quad

95 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 30A

沟渠现场停车

有

1.9 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ50H65T1G
APTGLQ50H65T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1

SP1

1.85 V

70 A

150 nA

微芯片技术

650 V

175 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

70 A

APTGLQ50

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Quad

175 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

有

3.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT60GF120JRDQ3
APT60GF120JRDQ3
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

ISOTOP-4

4

ISOTOP®

2.5 V

149 A

100 nA

微芯片技术

1

SMD/SMT

30 V

+ 150 C

- 55 C

625 W

1200 V

Details

Tube

149 A

APT60GF120

活跃

1.2 kV

1.2 kV

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-55 °C

625 W

115 A

Single

Single

625

625 W

Standard

1.2 kV

149 A

350 µA

1200 V

7.08 nF

3V @ 15V, 100A

149

NPT

无

7.08 nF @ 25 V

IGBT碳化硅模块

无

无铅

APTGT300DU120G
APTGT300DU120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

1.7 V

420 A

600 nA

微芯片技术

3.880136 oz

1

底座安装

20 V

+ 100 C

- 40 C

1.38 kW

1.2 kV

Details

Bulk

420 A

APTGT300

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.38 kW

Dual

Dual

1380 W

Standard

1.2 kV

420 A

500 µA

1200 V

21 nF

2.1V @ 15V, 300A

420

沟渠现场停车

无

21 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT50TA60PG
APTGT50TA60PG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6-P

6

SP6-P

1.5 V

80 A

600 nA

微芯片技术

Details

600 V

176 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

80 A

APTGT50

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

176 W

3-Phase

176 W

Standard

1.9 V

80 A

250 µA

600 V

3.15 nF

1.9V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

无

3.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FS100R12KT3BOSA1
FS100R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

43 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

6

140A

-40°C~125°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

480W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 100A

610 ns

沟渠现场停车

有

7.1nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGLQ75H120T3G
APTGLQ75H120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP1-32

SP1

2.05 V

130 A

150 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

385 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

130 A

APTGLQ75

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

全桥

385

385 W

Standard

50 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 75A

130

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

F1225R12KT4GBOSA1
F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

2449 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

PCB, Screw

底座安装

Module

38

SILICON

12

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

38

EAR99

UL 认证

160W

UPPER

UNSPECIFIED

三相逆变器

ISOLATED

160W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

25A

1mA

1200V

55 ns

2.15V @ 15V, 25A

470 ns

沟渠现场停车

无

1.45nF @ 25V

17mm

122mm

62mm

符合RoHS标准

含铅

APTGLQ100A120TG
APTGLQ100A120TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

SP4

2.05 V

170 A

150 nA

微芯片技术

1200 V

520 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

170 A

APTGLQ100

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

520 W

Standard

50 µA

1200 V

2.42V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGL700DA120D3G
APTGL700DA120D3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

D3-11

D3

1.8 V

840 A

800 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

3 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

Bulk

840 A

APTGL700

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

-

Single

3

3000 W

Standard

5 mA

1200 V

2.2V @ 15V, 600A

840

沟渠现场停车

无

37.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT400TL65G
APTGT400TL65G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SP6

NO

13

SILICON

1.15 kW

1.5 V

500 A

- 40 C

+ 100 C

1.2 uA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

APTGT400

活跃

5.71

MICROSEMI CORP

活跃

4

RECTANGULAR

APTGT400TL65G

有

150 °C

370 ns

-40 °C

180 ns

UNSPECIFIED

FLANGE MOUNT

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13

Details

650 V

Tube

-

UPPER

UNSPECIFIED

compliant

R-XUFM-X13

COMPLEX

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

1150 W

500 A

650 V

20 V

1.9 V

6.4 V

IGBT硅模块

IXA60IF1200NA
IXA60IF1200NA
IXYS 数据表

35 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Chassis, Screw, Stud, Surface Mount

Chassis, Stud Mount

SOT-227-4, miniBLOC

4

SILICON

2.1V

1.2kV

1

-40°C~150°C TJ

2010

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

NICKEL

UL 认证

290W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

290W

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

88A

350 ns

100μA

1200V

110 ns

2.1V @ 15V, 50A

350 ns

PT

无

20V

6.5V

9.6mm

38.23mm

25.25mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT200TL60G
APTGT200TL60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

12

SP6

1.5 V

300 A

800 nA

微芯片技术

Details

600 V

652 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

300 A

APTGT200

活跃

600 V

225 ns

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

652 W

3-Phase Inverter

115 ns

652 W

Standard

600 V

300 A

350 µA

600 V

12.2 nF

1.9V @ 15V, 200A

300

沟渠现场停车

无

12.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

无铅

APTGLQ40DDA120CT3G
APTGLQ40DDA120CT3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP3-32

SP6

2.05 V

75 A

120 nA

微芯片技术

1

底座安装

20 V

+ 100 C

- 40 C

250 W

1.2 kV

Details

Bulk

75 A

APTGLQ40

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

250 W

Standard

100 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 40A

沟渠现场停车

有

2.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGTQ200A65T3G
APTGTQ200A65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

1.65 V

200 A

480 nA

微芯片技术

650 V

483 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

200 A

APTGTQ200

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

483 W

Standard

200 µA

650 V

2.2V @ 15V, 200A

-

有

12 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT225DU170G
APTGT225DU170G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

NO

7

SP6

7

SILICON

2 V

340 A

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

340 A

APTGT225

活跃

1.7 kV

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

450 ns

1100 ns

未说明

150 °C

有

APTGT225DU170G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.24

Details

1.7 kV

1.25 kW

- 40 C

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

150 °C

-40 °C

雪崩 额定

1.25 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

7

R-XUFM-X7

不合格

Dual

Dual

1.25

ISOLATED

1250 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.7 kV

340 A

500 µA

1700 V

20 nF

2.4V @ 15V, 225A

340 A

340

沟渠现场停车

1700 V

无

20 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FS50R12KT4B11BOSA1
FS50R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

50A

6

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

25

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X25

全桥

ISOLATED

280W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 50A

490 ns

沟渠现场停车

有

2.8nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

IXYN100N120C3H1
IXYN100N120C3H1
IXYS 数据表

1000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

Chassis Mount, Screw, Surface Mount

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

4

SILICON

2.9V

1.2kV

1

123 ns

-55°C~150°C TJ

2013

XPT™, GenX3™

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

690W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

690W

ISOLATED

32 ns

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

134A

50μA

1200V

6nF

122 ns

3.5V @ 15V, 100A

265 ns

无

20V

6nF @ 25V

5V

9.6mm

38.23mm

25.07mm

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT200DU60TG
APTGT200DU60TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

1.5 V

290 A

400 nA

微芯片技术

Details

600 V

625 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

290 A

APTGT200

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

625 W

Dual

Dual

625 W

Standard

600 V

290 A

250 µA

600 V

12.3 nF

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

有

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT400DU120G
APTGT400DU120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

1.7 V

560 A

800 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

+ 100 C

- 40 C

1.785 kW

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

560 A

APTGT400

活跃

8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.785 kW

Dual

Dual

1785 W

Standard

1.2 kV

560 A

750 µA

1200 V

28 nF

2.1V @ 15V, 400A

560

沟渠现场停车

无

28 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGL90H120T3G
APTGL90H120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

1.85 V

110 A

600 nA

1

Bulk

微芯片技术

110 A

APTGL90

活跃

未说明

175 °C

有

APTGL90H120T3G

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.68

Details

1.2 kV

385 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

EAR99

未说明

compliant

全桥

385

385 W

Standard

250 µA

1200 V

385 W

2.25V @ 15V, 75A

110 A

110

沟渠现场停车

1200 V

有

20 V

4.4 nF @ 25 V

2.25 V

IGBT硅模块