类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

子类别

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

输入

产品类别

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

信道型

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

产品类别

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

APT60GA60JD60
APT60GA60JD60
Microsemi Corporation 数据表

1000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

32 Weeks

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

4

30.000004g

SILICON

2V

600V

1

-55°C~150°C TJ

1999

POWER MOS 8™

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED

356W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

ISOLATED

356W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600V

112A

275μA

8.01nF

82 ns

2.5V @ 15V, 62A

333 ns

PT

无

8.01nF @ 25V

9.6mm

38.2mm

25.4mm

符合RoHS标准

FMG2G400US60
FMG2G400US60
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

7PM-IA

NO

SILICON

400A

2

-40°C~150°C TJ

e3

yes

Obsolete

3 (168 Hours)

7

TIN

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-PUFM-X7

COMMERCIAL

半桥

ISOLATED

1136W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

250μA

600V

560 ns

2.7V @ 15V, 400A

520 ns

无

ROHS3 Compliant

APT100GT120JU3
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

ISOTOP

4

SILICON

1

1.2kV

-55°C~150°C TJ

2006

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS

480W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

ISOLATED

480W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

140A

5mA

1200V

7.2nF

335 ns

2.1V @ 15V, 100A

610 ns

沟渠现场停车

无

20V

7.2nF @ 25V

2.1 V

符合RoHS标准

GSID300A120S5C1
GSID300A120S5C1
SemiQ 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

底座安装

Module

Module

430A

-40°C~150°C TJ

活跃

1 (Unlimited)

三相逆变器

1630W

Standard

1mA

1200V

2.25V @ 15V, 300A

有

30nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APT40GL120JU2
APT40GL120JU2
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)

Chassis, Screw, Stud

Chassis, Stud Mount

SOT-227-4, miniBLOC

4

1.2kV

1

-55°C~175°C TJ

2012

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

220W

Single

220W

Standard

2.25V

65A

250μA

1200V

1.95nF

2.25V @ 15V, 35A

沟渠现场停车

无

20V

1.95nF @ 25V

符合RoHS标准

APT35GT120JU3
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

ISOTOP

4

SILICON

1

1.2kV

-55°C~150°C TJ

2004

yes

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS

260W

UPPER

UNSPECIFIED

4

Single

ISOLATED

260W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

55A

5mA

1200V

2.53nF

135 ns

2.1V @ 15V, 35A

610 ns

沟渠现场停车

无

20V

2.53nF @ 25V

2.1 V

符合RoHS标准

APT100GLQ65JU2
APT100GLQ65JU2
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

165A

-55°C~175°C TJ

活跃

不适用

升压斩波器

430W

Standard

50μA

650V

2.3V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

无

6.1nF @ 25V

符合RoHS标准

APT65GP60JDQ2
APT65GP60JDQ2
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Screw

底座安装

ISOTOP

4

ISOTOP®

130A

1999

POWER MOS 7®

活跃

1 (Unlimited)

150°C

-55°C

600V

198A

Single

Single

431W

Standard

600V

130A

1.25mA

600V

2.7V @ 15V, 65A

PT

无

7.4nF @ 25V

无

符合RoHS标准

无铅

APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

22 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)

底座安装

底座安装

SOT-227-4

1

1.2kV

-55°C~150°C TJ

2001

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

417W

Single

417W

Standard

3.2V

84A

1.1mA

1200V

5.55nF

3.2V @ 15V, 50A

NPT

无

30V

5.55nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

QID1210006
QID1210006
Powerex Inc. 数据表

2162 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Module

NO

20

SILICON

1.2kV

2

-40°C~150°C TJ

2014

活跃

1 (Unlimited)

20

EAR99

570W

UPPER

UNSPECIFIED

20

2 Independent

ISOLATED

570W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

6.5V

100A

1mA

1200V

16nF

6.5V @ 15V, 100A

无

16nF @ 10V

符合RoHS标准

IFS100B12N3E4_B39
IFS100B12N3E4_B39
Infineon Technologies 数据表

100 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

6

175°C TJ

2009

no

Obsolete

1 (Unlimited)

34

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

未说明

34

R-XUFM-X34

不合格

三相逆变器

ISOLATED

515W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

515W

210 ns

2.1V @ 15V, 100A

610 ns

沟渠现场停车

有

20V

6.3nF @ 25V

2.1 V

符合RoHS标准

APTGT75DH60T3G
APTGT75DH60T3G
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

175

Case SP-3

无

Screw

11.5

73.4

40.8

16

EAR99

1.5

600

250000

±20

100

0.6

-40

Obsolete

16

Dual

N

符合RoHS标准

DL2G50SH6N
DL2G50SH6N
MagnaChip Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

Case 6DM-2

无

通孔

34

66

8.15(Max)

6

EAR99

2.1

600

240000

±20

75

0.1

-40

Obsolete

6

Dual

N

供应商未确认

APTGF50A120T3WG
APTGF50A120T3WG
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

Case SP-3

无

Screw

11.5

73.4

40.8

18

EAR99

3.2

1200

312000

±20

70

0.1

-40

Obsolete

18

Dual

N

符合RoHS标准

FF600R12KF4NOSA1
FF600R12KF4NOSA1
Infineon Technologies AG 数据表

914 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

140

130

10

±20

3900000

1200

2.7

EAR99

Bulk

600 A

活跃

Infineon Technologies

600

0.4

-40

150

IHM130-2

无

Screw

38

150°C (TJ)

Tray

-

Obsolete

10

Dual

3900 W

Standard

8 mA

1200 V

N

3.2V @ 15V, 600A

600

-

无

45 nF @ 25 V

RoHS non-compliant

DL2G50SH12A
DL2G50SH12A
MagnaChip Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

Case 6DM-2

无

通孔

34

66

8.15(Max)

6

EAR99

1.8

1200

340000

±20

75

0.2

-40

Obsolete

6

Dual

N

供应商未确认

DM2G100SH12AL
DM2G100SH12AL
MagnaChip Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

Case 7DM-3

无

Screw

29.75(Max)

108.5

62.5

7

EAR99

1200

1.8

±20

700000

150

0.2

-40

Obsolete

7

Dual

N

供应商未确认

FZ3600R12KE3NOSA1
FZ3600R12KE3NOSA1
Infineon Technologies AG 数据表

657 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-IHM190-2-1

125

IHM190-2

无

Screw

38

190

140

9

Bulk

4.7 kA

活跃

Infineon Technologies

EAR99

1200

1.7

±20

15000000

4700

0.4

-40

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tray

-

Obsolete

9

三共用发射器 共用门

15 kW

Standard

5 mA

1200 V

N

2.15V @ 15V, 3.6kA

-

无

260000 pF @ 25 V

RoHS non-compliant

APTGL60A120T1G
APTGL60A120T1G
Microsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

175

Case SP-1

无

Screw

11.5

51.6

40.8

12

EAR99

1200

1.85

±20

280000

80

0.4

-40

Obsolete

12

Dual

N

符合RoHS标准

F450R06W1E3BOMA1
F450R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies AG 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

EASY1B-1

无

Screw

12

62.8

33.8

15

EAR99

600

1.45

±20

225000

75

0.4

-40

Tray

Obsolete

15

Quad

N

是,有豁免

FZ1800R16KF4NOSA1
FZ1800R16KF4NOSA1
Infineon Technologies AG 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

IHM190-2

无

Screw

190

140

9

Bulk

1800 A

活跃

Infineon Technologies

EAR99

1600

3.5

±20

11000

1800

0.6

-40

125

150°C (TJ)

Tray

-

Obsolete

9

三共用发射器 共用门

11000 W

Standard

12 mA

1600 V

N

-

-

无

RoHS non-compliant

SKM200GAL12E4HD
SKM200GAL12E4HD
Semikron 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

Screw

30.5

106.4

61.4

5

EAR99

1.8

1200

±20

314

-40

175

无

LAG外壳

活跃

5

Single

N

符合RoHS标准

DM2G200SH12A
DM2G200SH12A
MagnaChip Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150

Case 7DM-3

无

Screw

29.75(Max)

108

62

7

EAR99

1200

1.8

±20

1500000

275

0.3

-40

Obsolete

7

Dual

N

供应商未确认

FS600R07A2E3BOSA1
FS600R07A2E3BOSA1
Infineon Technologies AG 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

0.4

-40

150

有

AEC-Q101

HYBRID2-1

无

Screw

28.5(Max)

216

100

33

Tray

530 A

Infineon Technologies

FS600R07

Obsolete

EAR99

1.3

650

1250000

±20

530

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

HybridPACK™ 2

NRND

33

Hex

1250 W

Standard

5 mA

650 V

N

1.6V @ 15V, 400A

沟渠现场停车

有

39 nF @ 25 V

是,有豁免

NXH50C120L2C2ESG
NXH50C120L2C2ESG
ON Semiconductor 数据表

2367 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

26-PowerDIP Module (1.199, 47.20mm)

26-DIP

EAR99

8541.29.00.95

1200

1.8

±20

20(Typ)

1.8

50 A

50

0.4

-40

150

无

DIP

无

通孔

8

73.2

40.2

26

±20.0V

DIP26

onsemi

650 V

-

+ 150 C

- 40 C

6

onsemi

onsemi

Details

1200 V

Tube

50 A

NXH50

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

活跃

IGBTs

26

Hex

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

250 µA

1200 V

N

2.4V @ 15V, 50A

50

-

有

11.897 nF @ 20 V

IGBT硅模块

IGBT模块

符合RoHS标准