Advanced BLV25

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

220 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

15

Unit Weight

0.461866 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

33 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

BLV25

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

4.38

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39007, RWR81S

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

类型

射频双极功率

电阻

1.43 Ohms

组成

Wirewound

功率(瓦特)

1W

附加功能

DIFFUSED BALLAST RESISTORS

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

UNSPECIFIED

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

O-CXFM-F6

资历状况

不合格

工作频率

108 MHz

失败率

S (0.001%)

配置

Single

箱体转运

EMITTER

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

220 W

集电极电流-最大值(IC)

17.5 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

17.5 A

集电极-发射器电压-最大值

33 V

最高频段

甚高频段

特征

Military, Moisture Resistant

产品类别

射频双极晶体管

座位高度(最大)

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