Advanced TPV8100B

包装/外壳

Axial

供应商器件包装

Axial

Emitter- Base Voltage VEBO

4 V

Pd - Power Dissipation

215 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

容差

±0.5%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±25ppm/°C

类型

射频双极功率

电阻

14.7 kOhms

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

子类别

Transistors

技术

Si

工作频率

860 MHz

失败率

R (0.01%)

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

连续集电极电流

12 A

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

射频双极晶体管

座位高度(最大)

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