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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 APT30GS60BRDQ2G
APT30GS60BRDQ2G
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Atmel (Microchip Technology) APT30GS60BRDQ2G

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型号

APT30GS60BRDQ2G

品牌

Atmel (Microchip Technology)

utmel 编号

225-APT30GS60BRDQ2G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector

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APT30GS60BRDQ2G详情

技术参数

Atmel (Microchip Technology) APT30GS60BRDQ2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    通孔

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    600 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.8 V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    54 A

  • Pd - Power Dissipation

    250 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Unit Weight

    0.208116 oz

  • 包装

    Tube

  • 配置

    Single

0个相似型号

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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