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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 ATF-54143-TR1G
ATF-54143-TR1G
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Broadcom Limited ATF-54143-TR1G

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型号

ATF-54143-TR1G

品牌

Broadcom Limited

utmel 编号

354-ATF-54143-TR1G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

SC-82A, SOT-343

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G RF FET Transistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

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ATF-54143-TR1G Broadcom Limited BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G RF FET Transistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

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ATF-54143-TR1G详情

技术参数

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型号对比

Broadcom Limited ATF-54143-TR1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-82A, SOT-343

  • 引脚数

    4

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 电压 - 额定直流

    5V

  • 最大功率耗散

    725mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    120mA

  • 频率

    2GHz

  • 基本部件号

    ATF-54143

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    725mW

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    60mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 漏源电压 (Vdss)

    3V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    pHEMT FET

  • 连续放电电流(ID)

    120mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    1V

  • 增益

    16.6dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.12A

  • DS 击穿电压-最小值

    5V

  • 功率 - 输出

    20.4dBm

  • 场效应管技术

    高电子迁移率

  • 噪声图

    0.5dB

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Broadcom Limited ATF-54143-TR1G.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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