Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-UFQFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

8

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

660mW

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

JESD-30代码

S-PQCC-N12

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

660mW

场效应管类型

8 N-Channel, Common Gate, Common Source

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

连续放电电流(ID)

2A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

13 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant