Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

400mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMN2005DLP4K

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 100μA

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

300mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

3.5Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

350μm

长度

1.3mm

宽度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅