Diodes Incorporated DMN2028UFDH-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

561 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1.1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

53 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

151pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 4.5V

上升时间

77ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

234 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.036Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

800μm

长度

3.05mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant