Diodes Incorporated DMN3026LVT-7

工厂交货时间

23 Weeks

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Turn Off Delay Time

12.1 ns

Power Dissipation (Max)

1.2W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.6A Ta

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电容量

643pF

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G6

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 6.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

643pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5nC @ 10V

上升时间

2.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

6.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant