Diodes Incorporated DMN3032LFDB-13

工厂交货时间

23 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1W

终端形式

无铅

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

6.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant