Diodes Incorporated DMN63D8LV-7

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

450mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

DMN63D8L

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450mW

接通延迟时间

3.3 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8 Ω @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.87nC @ 10V

上升时间

3.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

6.3 ns

连续放电电流(ID)

260mA

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

4.5Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅