Diodes Incorporated DMP2035UVT-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.2W Ta

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

35mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.1nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.2A

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅